polysilicon emitter transistor
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多晶硅发射极晶体管
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1、
导出多晶硅发射极晶体管电流增益的表达式，很好地解释了实验结果。
来源：互联网摘选
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- IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor 绝缘栅双极晶体管
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- polysilicon gate 多晶硅栅极
- point transistor 点式晶体管
- alloyed transistor 合金（型）晶体（三极）管;
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